Semiconductor device

半導体装置

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce wiring resistance by preventing dispersion without forming a barrier metal in the wiring made of material like Cu with property that tends toward dispersion into an insulating film. SOLUTION: When a wiring without barrier metal and a wiring with barrier metal adjoin with each other in the same insulating film or between different layers, the voltage applied to the wiring without the barrier metal is made negative or zero to the voltage of the wiring with barrier metal. In addition to this way, the DC component of the voltage applied to the wiring without barrier metal is made negative or zero to the voltage of the wiring with barrier metal. In addition, the frequency of an AC voltage signal applied to the wiring is made 0.1 [Hz] or larger. COPYRIGHT: (C)2003,JPO
(57)【要約】 【課題】 Cuなどの絶縁膜中に拡散する性質を有する 材料を用いた配線において、バリアメタルを設置するこ となく拡散を防止することにより、配線抵抗を低減する ことを目的とする。 【解決手段】 同じ絶縁膜中あるいは異なる層間におい て、バリアメタル無しの配線とバリアメタル有りの配線 が隣接する場合、バリアメタル無しの配線に印加する電 圧をバリアメタル有りの配線の電圧に対し、負あるいは 0とする。あるいはバリアメタル無しの配線に印加する 電圧の直流成分を、バリアメタル有りの配線の電圧に対 し、負あるいは0とする。また、配線に印加する交流電 圧信号の周波数を0.1[Hz]よりも大とする。

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Patent Citations (2)

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    JP-2000174121-AJune 23, 2000Matsushita Electronics Industry Corp, 松下電子工業株式会社半導体装置およびその製造方法
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    JP-2012253235-ADecember 20, 2012Renesas Electronics Corp, ルネサスエレクトロニクス株式会社Semiconductor device and method of manufacturing the same